电光晶体



      电光效应是由于施加直流或低频电场而导致的折射率变化。 施加到各向异性电光材料上的场可以改变其折射率,从而改变其对偏振光的影响。 折射率对所施加电场的依赖性有两种形式:线性电光效应和二次电光。 电子光学仪器

 

       可用于生产可控光学设备,例如q开关应用。

 

       如果线偏振光穿过eo晶体,则对于kd * p,an将引起a = r =2πonl的相位延迟(t),其中l是晶体长度,例如an = 0.5∩30f6se/ n, r = fx3e / n的πln3。 显然,光的相位将随电场(e)一起变化。 这称为电光相位调制。 如果将两个交叉的偏振器分别放置在e-o晶体的输入和输出端,如(振幅调制器)所示,则光的输出强度将为|。 =i。sin2(g / 2),其中l。是输入强度。 这意味着光的强度或幅度也可以通过电场进行调制。 这称为幅度调制。

 

 

       e-o调制有两种。 如果电场和光的传播方向相同,则为纵向e-o调制(如纵向调制所示)。 该方案中通常使用kdp同晶晶体。 如果电场和光的传播方向是垂直的,则称为横向e-o调制(请参阅“横向调制”)。 在该方案中通常使用linbo3,mgo:linbo3,zno:linbo3,bbo和ktp晶体。

 

         半波电压(v)定义为使t =π的电压,例如v = 2 /(2nre3)对于linbo3,kd * p和v =λd/(2nr22l),其中λ是光波长,d是光波长之间的距离电极。

 

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